半导体的电阻率分类

问题更新日期：2024-10-10 23:02:16

问题描述

精选答案

半导体电阻率

半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间：室温时约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的）。

基本信息

晶向

电阻率与晶向有关。

对于各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共有27个分量。

特别的，对于Si之类的具有立方对称性的晶体，电导率可以简化为一个标量的常数（其他二阶张量的物理量都是如此）。

载流子

电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ=1/ nqμ。

对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况，往往采用平均电导率的概念；在不同的扩散浓度分布（例如高斯分布或余误差分布等）情况下，已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线，可供查用。

温度

决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。

在低温下

由于载流子浓度指数式增大（施主或受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时电阻率随着温度的升高而下降。

在室温下

由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（晶格振动加剧，导致声子散射增强所致），所以电阻率将随着温度的升高而增大。

在高温下

这时本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低（晶格振动散射散射越来越强），但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。

本征激发温度

半导体开始本征激发起重要作用的温度，也就是电阻率很快降低的温度，该温度往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度（因为在该温度下，pn结即不再存在）；该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关，掺杂浓度越高，因为多数载流子浓度越大，则本征激发起重要作用的温度——半导体器件的最高工作温度也就越高。所以，若要求半导体器件的温度稳定性越高，其掺杂浓度就应该越大。

其他回答

网络安全认证咨询

半导体的电阻率可分为导体、绝缘体和半导体三类。主要是由于其电导性质的不同。导体的电阻率较低，电流能够自由地通过；绝缘体的电阻率较高，电流几乎无法通过；而半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间，其电导性质可以通过外界条件的改变而发生变化。与其晶体结构和杂质掺杂程度有关。根据杂质掺杂的不同，半导体又可分为P型半导体和N型半导体。P型半导体中杂质掺入的是三价元素，使其具有正电荷；N型半导体中杂质掺入的是五价元素，使其具有负电荷。这种杂质掺杂可以改变半导体的电导性质，从而实现半导体器件的功能。

其他回答

戏说金融

半导体的电阻率一般分为三类，即空间电阻、原子间电阻和尺寸效应电阻。其中，空间电阻描述的是电子在半导体中运动的阻力，原子间电阻描述的是原子或分子间的相互作用对电子传导的阻碍，尺寸效应电阻则描述的是半导体尺寸变化对电子传导的影响。

此外，根据其电导率的不同，固体材料可分为三大类：绝缘体、半导体和导体。其中，绝缘体的电导率很低，如熔凝石英、玻璃等；导体的电导率很高，如铝、银等；而半导体的电导率介于绝缘体和导体之间，对温度、光照、磁场以及微量的杂质原子都很敏感。

其他回答

税务筹划好帮手

半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间： 室温时约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的）。

中文名

半导体电阻率

电阻率范围

间于金属和绝缘体之间

室温

1mΩ·cm～1GΩ·cm之间

其他回答

英语每天学

电阻率小于10^(-5)Ω•m的称导电体，如金属材料等。

电阻率大于10^8Ω•m的称绝缘体，如陶瓷、橡胶、塑料等材料。

介于两者之间的称半绝缘体或半导体。