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功率场效应管P沟道MOS管和N沟道MOS管的区别

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问题更新日期:2024-10-10 23:13:11

问题描述

功率场效应管P沟道MOS管和N沟道MOS管的区别求高手给解答
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1、芯片材质不同

虽然芯片都是硅基,但是掺杂的材质是不同,使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道;P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。具体原理可以参考一些教科书,属于工艺方面的问题。

2、同等参数P沟道MOS管价格更高

(1)N沟道MOS管芯片成本低于P沟道。

N沟道MOS管通过电子形成电流沟道,当MOS管被激活和导通时,电子通过电流移动,速度较P沟道MOS管速度快。在相同的RDS(on)情况下,载流子的迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍,而要实现相同的电流,P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。因此从制造成本上,N沟道MOS管就要低于P沟道MOS管。因此,大电流应用通常首选N沟道的MOS管。