IGBT芯片的诞生

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IGBT出现之前，有很多前辈。最早的可以追溯到可控硅。 1957年爱迪生同学遗留下来的通用电气发明了一个PNPN四层半导体结构的奇妙东西，取名晶闸管，也叫可控硅。随后又出现了可关断晶闸管(GTO)。

由于GTO和MOS都有着先天的不足，在电力系统的运用上受到很大限制，因此上世纪80年代，一种集众家所长的器件诞生，他就是IGBT。

IGBT全称绝缘栅双极型晶体管，名字很长，其实是一个特殊的三极管，简单理解可以看做一个自动开关，当他断开时可看做开路，而导通时可以看做导线。IGBT集电力晶体管GTR(也称作BJT）和P型金氧半场效晶体管（PMOS）的优点于一身，可谓生而不凡。

俗话说：人有三急。人家IGBT也也有三极：栅极、集电极和发射极。IGBT最大的优点是无论在导通状态还是短路状态都可以承受电流冲击，其应用范围极为广泛，一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。

我国半导体事业发展较晚，IGBT也毫无例外的长期落后于国外，但近十年来的大幅度追赶，已经取得了重大突破，相信未来会发展的更好。