什么是势垒
问题描述
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一般在谈到半导体的PN结时,就会联系到势垒,这涉及半导体的基础内容.简单地说,所谓势垒也称位垒,就是在PN结由于电子、空穴的扩散所形成的阻挡层,两侧的电位差,就称为势垒.势垒电容,是耗尽层宽窄变化所等效的电容,是二极管的两极间的等效电容组成部分之一,具有非线性,其相应于多数载流子电荷变化的一种电容效应。在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。势垒电容具有非线性,它与结面积、耗尽层宽度、半导体的介电常数及外加电压有关。势垒电容是二极管的两极间的等效电容组成部分之一,另一部分是扩散电容。二极管的电容效应在交流信号作用下才会表现出来。势垒电容在正偏和反偏时均不能忽略。而反向偏置时,由于少数载流子数目很少,可忽略扩散电容。
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势垒(Potential Energy Barrier)就是势能比附近的势能都高的空间区域,基本上就是极值点附近的一小片区域。
在众多势垒当中,方势垒是一种理想的势垒。保持ε和V的乘积不变,缩小ε,并趋于0,V将无穷大。方势垒过渡到δ势垒。在微观物理学中,δ势常作为一种理想的短程作用来讨论问题。δ势可以看成方势的一种极限情况。事实上,所有涉及δ势的问题,原则上均可以从方势情况下的解取极限而得以解决。但直接采用δ势来求解,往往要简捷得多。在δ势情况下,粒子波函数的导数是不连续的,尽管粒子流密度仍然是连续的。
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一般在谈到半导体的PN结时,就会联系到势垒,这涉及半导体的基础内容。简单地说,所谓势垒也称位垒,就是在PN结由于电子、空穴的扩散所形成的阻挡层,两侧的势能差,就称为势垒。
势垒是势能比附近的势能都高的空间区域,基本上就是极值点附近的一小片区域。在众多势垒当中,方势垒是一种理想的势垒。
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材料表面由于原子排列的中断,和受外界氧化、沾污的影响,使处在表面的电子能态与体内不一样:有一个弯曲(N型材料向上弯曲,P型材料向下弯曲)。这个弯曲带来的电势差,就是表面势垒。
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