什么是势垒电容
问题描述
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PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容。PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容放电。同理,当正向电压减小时,PN结变宽,空间电荷区变宽,结中空间电荷量增加,相当于电容充电。加反向电压升高时,一方面会使耗尽区变宽,也相当于对电容的充电。加反向电压减少时,就是P区的空穴、N区的电子向耗尽区流,使耗尽区变窄,相当于放电。 PN结电容算法与平板电容相似,只是宽度会随电压变化。 下面再看扩散电容。 PN结势垒电容主要研究的是多子,是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子。 在PN结反向偏置时,少子数量很少,电容效应很少,也就可以不考虑了。在正向偏置时,P区中的电子,N区中的空穴,会伴着远离势垒区,数量逐渐减少。即离结近处,少子数量多,离结远处,少子的数量少,有一定的浓度梯度。 正向电压增加时,N区将有更多的电子扩散到P区,也就是P区中的少子----电子浓度、浓度梯度增加。同理,正向电压增加时,N区中的少子---空穴的浓度、浓度梯度也要增加。相反,正向电压降低时,少子浓度就要减少。从而表现了电容的特性。 PN结反向偏置时电阻大,电容小,主要为势垒电容。正向偏置时,电容大,取决于扩散电容,电阻小。 频率越高,电容效应越显著。 在集成电路中,一般利用PN结的势垒电容,即让PN结反偏,只是改变电压的大小,而不改变极性。
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势垒电容是指p-n结所具有的一种电容,它存在于p-n结的空间电荷区(势垒区)。
当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同。因此,势垒电容可以理解为是二极管两极间的等效电容组成部分之一。由于势垒区中存在较强的电场,其中的载流子基本上都被驱赶出去了(耗尽),因此势垒区可近似为耗尽层,故势垒电容也被称为耗尽层电容。
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