半导体二极管极其电路:解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因,并说明热击穿与电击穿的异同
问题更新日期:2024-10-12 10:48:35
问题描述
半导体二极管极其电路:解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因,并说明热击穿与电击穿的异同,在线求解答
- 精选答案
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雪崩击穿:当加在PN结两端反向电压足够大时,PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大,导致击穿。
齐纳击穿:当PN结两端加入高浓度的杂志,在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。
热击穿:加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率,PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。
热击穿与电击穿的不同:电击穿可逆,而热击穿不可逆。
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