耦合电容的容量大小怎么选择

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耐压要看实际工作中，电容两端承受的实际直流电压是多少，如果真的要计算，还要看通过电容的交流信号的数值是多少。那样比较麻烦，一般留实际承受直流电压的2倍的余量就够用了。容量有这样一个公式（计算过程一律使用国际单位）：F=1/(2*π*R*C)其中，F是最低截止频率，R是电容后面的负载（对于输入电容就是放大器的输入电阻，对于输出电容就是放大器的负载电阻），C就是耦合电容的数值。关于电路的耦合问题，通常应该选取多大的电容呢，我在网上查到有这样一种计算公式：F=1/(2*π*R*C)其中，F是最低截止频率，R是电容后面的负载（对于输入电容就是放大器的输入电阻，对于输出电容就是放大器的负载电阻），C就是耦合电容的数值。但是用这个计算出来和实际电路图上的电容值又相差很大，而且串一电容、并一电阻的组成的应该是一个高通滤波器，所以我还有一点搞不明白的时这个公式里面的频率应该是高通截止频率还是低通截止频率。所以请大虾指教一下，这个估算方式到底对不对呢，具体应该怎么考虑呢，谢谢大家了低频情况下，选取电容的方法就跟楼主所述的差不多，原则上是越大越好，当然，计算时一般选择下限频率、补偿低频频响，音响电路里面很多时候就是这么干的。如果还要照顾高频，那就采用两个一大一小电容并联的办法试试看。一般估算时候采用的低端截止频率要比你需要的最低频率低5－10倍，高频则要选高5－10倍。还要注意电容的材料和工艺，音频频段常用电解、聚丙烯和涤纶电容，几百K用独石（低频瓷介）的足够了，上兆的就用高频瓷介，30兆以上的最好不用涤纶、低频瓷介和有长引线的铝电解，它们很有可能已经变成电感了。射频的情况下就复杂一些，最好用半波长谐振腔法，通过做一个陷波器、观察陷波深度来测试电容的等效射频串联电阻ESR，越小越好。本人试过用微带腔体来做，但是Q值低，测得的数值偏大，一般S波段上，只能测到陷波-30dB的水平、也就是只能测得略小于1欧姆的等效串联电阻。倘若改用同轴腔体来做、Q值高，有可能将动态范围提高到50－60dB，那就可以测得毫欧姆数量级、够准确了。不过，这种方法来挑选旁路电容确实是个麻烦事，有现成的微波电容就直接用吧。一点体会：通过亲身的实验，发现同样大小的0805贴片电容，S波段上，100－300pF标称值的电阻最小，ESR约0.9欧姆（其实都偏大了）；而1000pF和0.1uF（贴片封装为1206）的都比100－300p的差，0.1uF的ESR甚至达到14欧姆。容量大、体色较深的贴片电容，似乎损耗更大一些，ESR都较浅色的、低容量电容的大。

其他回答

法律小老头

数字电路中典型的耦合电容是0.1μF，这个电容的分布电感是5μH，并行共振频率大约是7MHZ。耦合电容选择一般有个公式是：C＝1/F（F是指频率），即10MHZ取0.1μH。还有电容量的大小没有一个确切的范围，一般几十μ以上的就算是比较大的了.