接触势垒形成的原理
问题更新日期:2024-10-12 13:00:42
问题描述
接触势垒形成的原理希望能解答下
- 精选答案
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以下是我的回接触势垒形成的原理是由于金属与半导体之间的电子亲和力不同所导致的。当金属与半导体接触时,由于金属的电子亲和力较强,会从半导体中夺取电子,使得半导体一侧的电子浓度降低,形成负电荷层。而金属一侧由于失去电子而形成正电荷层,从而形成了空间电荷区(耗尽层)。在空间电荷区中,电子的浓度差会产生一个阻止电子流动的势垒,即接触势垒。只有当加上正向电压时,电子才能越过势垒,形成电流。因此,接触势垒的形成是金属与半导体接触时电荷转移和空间电荷区形成的必然结果。
- 其他回答
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在该种金-半接触情形下,在金属一侧形成了很高的电子势垒,即肖特基势垒,能量高于该势垒的电子才可从金属流向半导体,理想情况下金属一侧势垒高度。
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