电焊机场效应管和IGBT有什么区别

问题描述

精选答案

单管IGBT属于绝缘门极晶体管，第四代逆变技术。相对MOS管皮实耐用，MOS场效应管，属于第三代逆变技术。多个MOS管串联，其中一个炸管其他全炸。效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

其他回答

四川成考助学

从你提问的角度来讲，不看管标外观或测量都没法区别，从原理上讲二者几乎是同一样器件，mos管中文称绝缘栅场效应管，IGBT也是，只不过在这基础上集成了达林顿结构，使得电路简化成本降低，没必要厚此薄彼，从具体电路可以根据前级驱动电路的情况来区分！负载端都是大同小异的。

其他回答

建筑造就安全

从你提问的角度来讲，不看管标外观或测量都没法区别，从原理上讲二者几乎是同一样器件，mos管中文称绝缘栅场效应管，IGBT也是，只不过在这基础上集成了达林顿结构，使得电路简化成本降低，没必要厚此薄彼，从具体电路可以根据前级驱动电路的情况来区分！负载端都是大同小异的。