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npn mos工作原理

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问题更新日期:2024-10-13 03:59:43

问题描述

npn mos工作原理,麻烦给回复
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这里以NMOS和NPN三极管为例,并且以电子流(而非电流)方向为主来说明。

一、符号

MOS管一般可以简化为三个极,分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D),MOS器件是电压控制型器件,用栅极电压来控制源漏的导通情况;

BJT三极管有三个极,分别是基极(B)发射极(E)和集电极(C),三极管是电流控制型器件,用基极电流来控制发射极与集电极的导通情况;

二、截止区

NPN三极管也一样,如果偏压小于阈值电压,也相当于两个背靠背的二极管,不导通;

三、线性区

NMOS如果栅上加正电压,就会在其下感应出相反极性的负电荷,从而产生N型沟道,使源漏导通。如果不考虑源漏电压影响,则栅压高一点,产生的沟道就宽一点,导通能力就大一点,这就是线性区。

NPN管如果BE结加正向偏置导通,电子就会进入到基区。除了被基区的P型空穴俘获外,它们有两个地方可以去:一个是从基极流出,一个是被集电极更高的正电压吸收。集电极电压越高,能收集到的电子就会越多,这也是线性变化的。

四、饱和区

NMOS在漏极电压比较高时,会使沟道夹断,之后即使电压升高,电流不会再升高,因此叫做饱和区;

NPN三极管在集电极电压比较高时,也会几乎全部收集到从发射极过来的电子,电压再升高也没有办法收集到更多,也是它的饱和区。

五、电流电压曲线

在线性区,随着电压升高,源漏电流或集电极电流上升。而在饱和区电压升高,电流基本都保持不变。二者的趋势基本一致。

其他回答

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

MOS管一般说P沟道或者N沟道

简单的说下导通条件:

P沟道:源极电压高于门极电压一定值,如10V;

N沟道:门极电压高于源极电压一定值,如10V