半导体中刻蚀epd原理

问题描述

精选答案

蚀刻原理

在氯化铜溶液中加入氨水，发生络合反应，

cucl2+4nh3→cu(nh3)4cl2 在蚀刻过程中，基板上面的铜被〔cu(nh3)4〕2+络离子氧化，

其蚀刻反应：cu(nh3)4cl2+cu→2cu(nh3)2cl所生成的〔cu(nh3)2〕1+不具有蚀刻能力，在过量的氨水和氯离子存在的情况下，能很快地被空气中的氧所氧化，生成具有蚀刻能力的〔cu(nh3)4〕2+络离子，其再生反应如下：

2cu(nh3)2cl+2nh4cl+2nh3+1/2o2 →2cu(nh3)4cl+h2o所以在蚀刻时，应不断补加氨水和氯化铵，也称子液.