体效应和沟道长度效应的原理
问题描述
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mos晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大vds,夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小,有效沟道电阻也就略有减小,从而使更多电子自源极漂移到夹断点,导致在耗尽区漂移电子增多,使id增大,这种效应称为沟道长度调制效应 MOS管漏极和源极之间的电压差增大,实际反型沟道长度逐渐减小。
比如说减小量为△L,那么实际沟道长度就为L'=L-△L,L'实际上是Vds的函数,1/L'≈(1+△L/L)/L,假设△L/L和Vds之间是线性关系,△L/L=λVds,通常用λ表示沟道长度调制系数。
沟道长度调制使Id/Vds的特性曲线出现非零斜率这样就使得源极和漏极之间的电流源不理想。
参数λ表示给定的Vds增量所引起的沟道长度的相对变化量,所以对于较长的沟道λ较小。
- 其他回答
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体效应和沟道长度效应是指在场效应管中,控制电压对漏电流的影响因素。
体效应是指管子的整个体积对漏电流的影响,而沟道长度效应则是指沟道长度对漏电流的影响。当控制电压增大时,漏电流也随之增大。这是因为控制电压会改变沟道的宽度和深度,进而影响漏电流的大小。
此外,沟道长度也会影响漏电流,因为沟道长度越长,电子流动的路径也就越长,从而导致漏电流的增加。
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