半导体imp原理

问题描述

精选答案

IMP工艺技术应用于0.35μm及以下技术的短沟道器件。P-ESD IMP工艺流程是在有源区重掺杂之后增加一道P-ESD IMP，P-ESD IMP的目的是把中等浓度的硼(P型)通过离子注入的方式掺杂到NMOS漏端N+扩散区正下方与PW交界面，从而降低NMOS漏端与PW的击穿电压。

例如在一0.18μm的工艺中，可把原先约10V的接面击穿电压降低到约8V。

当ESD现象发生在该NMOS器件的漏极时，漏端接触孔下面的PN结首先击穿，静电放电电流便会先由该PN结接面泄放掉，因此该NMOS器件漏极端的LDD结构不会因静电尖端放电的现象而被静电损伤，达到提高它的ESD保护能力。

利用P型的P-ESD IMP工艺技术制造的ESD NMOS仍可保留LDD结构，因此该ESD NMOS器件仍可使用较短沟道长度，它的SPICE参数跟传统的NMOS器件类似，除了击穿电压不同之外，不必另外抽取这种ESD NMOS器件的SPICE参数。

其他回答

考研小王子

IMP是一种专用于通信的计算机，有些IMP之间直接相连，有些IMP之间必须经过其他的IMP间接相连。

当IMP收到一个报文后要根据报文的目标地址决定把该报文提交给与它相连的主机还是转发到下一个IMP，这种通信方式叫做存储-转发通信。在广域网中的通信一般都采用这种方式。

另外一种通信方式是广播通信方式，主要用于局域网中。局域网中的IMP简化为一个微处理器芯片，每台主机或工作站中都设置一个IMP。