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55n06场效应管参数

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问题更新日期:2024-10-13 14:58:47

问题描述

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55n06场效应管参数:

PD最大耗散功率:114W;ID最大漏源电流:55A;V(BR)DSS漏源击穿电压:60V;RDS(ON)Ω内阻:0.022Ω;VRDS(ON)ld通态电流:27.5A;VRDS(ON)栅极电压:10V;VGS(th)V开启电压:2~4V;VGS(th)ld(μA)开启电流:250μA。

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。