二极管实质
问题更新日期:2024-10-14 12:13:20
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二极管实质,在线求解答
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二极管实物晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
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晶体二极管实质就是PN结,P型空穴晶体和N型电子型晶体相结合,叫PN结。PN结理论是是半导体物理的基础理论。PN结具有单向导电性,这就是整流二极管。整流二极管分硅二极管和锗二极管,硅二极管的正向压降小,反向泄露电流也小,品质较好。锗二极管次之。
- 其他回答
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就是单向导电性,也就是PN结单向导电。
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