自对准效应

问题描述

精选答案

一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅mosfet器件，包括自下而上依次设置的背面漏极金属、碳化硅衬底和碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上方内部设置有两组对称布设的p阱，所述p阱内部中间部位设置有由第一次自对准工艺得到的源极接触n+区域，所述源极接触n+区域内部中间部位设置有由第二次自对准工艺得到的源极接触p+区域，所述碳化硅外延层上表面上设置有第一绝缘栅介质层，所述第一绝缘栅介质层上设置有栅电极，所述第一绝缘栅介质层和栅电极上设置有开孔，所述栅电极上和开孔的侧壁上设置有第二绝缘栅介质层，所述第二绝缘栅介质层上设置有源极接触孔，所述源极接触孔内设置有源极金属，所述源极金属位于源极接触n+区域和源极接触p+区域的上方。

其他回答

心语心理

扩散自对准工艺（silicon gate self-aligned technology）是制作硅栅场效应晶体管的一种新工艺。自对准工艺是先在生长有栅氧化膜的硅单晶片上淀积一层多晶硅，然后在多晶硅上刻蚀出两个扩散窗口，杂质经窗口热扩散到硅单晶片内，形成源和漏扩散区，同时形成导电的多晶硅栅电极，其位置自动与源和漏的位置对准。