窄宽度效应

问题描述

精选答案

在CMOS器件工艺中，器件的阈值电压Vth 随着沟道宽度的变窄而增大，即窄宽度效应；目前，由于浅沟道隔离工艺的应用，器件的阈值电压 Vth 随着沟道宽度的变窄而降低，称为反窄宽度效应 。

短沟道效应

在CMOS器件工艺中，当导电沟道长度降低到十几纳米，甚至几纳米量级时，晶体管出现一些效应。这些效应主要包括阈值电压Vth 随着沟道长度降低而降低，载流子表面散射，速度饱和，离子化和热电子效应。