3nm芯片多大
问题描述
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IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)首次展示了采用3nm工艺制造的芯片,是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片,这也是新工艺落地传统的第一步。
三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,该技术又分为两种类型,一是常规GAAFET,使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin),
二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管),使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片(nanosheet)。
三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Gb,面积56平方毫米,最令三星骄傲的就是超低功耗,写入电流只需要区区0.23V,这要感谢MBCFET的多种省电技术。
按照三星的说法,3GAE工艺相比于其7LPP,可将晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。三星3nm预计明年投入量产,但尚未公布任何客户。
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3纳米指的是芯片的工艺制程,并不代表芯片有多大。
芯片命名方式一般都是:字母+数字+字母。前面的字母是芯片厂商或是某个芯片系列的缩写。像MC开始的多半是摩托罗拉的,MAX开始的多半是美信的。中间的数字是功能型号。像MC7805和LM7805,从7805上可以看出它们的功能都是输出5V,只是厂家不一样。
后面的字母多半是封装信息,要看厂商提供的资料才能知道具体字母代表什么封装。
74系列是标准的TTL逻辑器件的通用名称,例如74LS00、74LS02等等,单从74来看看不出是什么公司的产品。不同公司会在74前面加前缀,例如SN74LS00等。
- 其他回答
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3nm相当于4倍原子大小,3纳米=0.003微米。比单个细菌的长度还要小,nm是长度单位。
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