内存上标注ddr313332g分别代表啥
问题描述
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内存标注是由四段字母或数字组成的:1部分标明的是生产此颗粒企业的名称、2部分标明的是该内存模组的生产日期、3部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数、第4部分编号实际上是由12个小部分组成:内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息你的内存颗粒上:HY64T3200HDL-3.7-A 表示:第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代生产制造。
第2部分代表产品家族,由两位数字或字母组成,“5D”表示为DDR内存,“57”表示为SDRAM内存。
第3部分代表工作电压,由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V; U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。
第4部分代表内存模组的容量和刷新设置,由两位数字或字母组成。对于DDR内存,分别由“64、66、28、32、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为:64代表64MB容量,4K刷新;66代表64MB容量,2K刷新; 28代表128MB容量,4K刷新;56代表256MB容量,8K刷新;57代表256MB容量,4K刷新;12代表512MB容量,8K刷新;1G代表1GB容量,8K刷新。
第5部分代表该内存颗粒的位宽,由1个或2个数字组成。分为4种情况,分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。
第6部分表示的是Bank数,由1个数字组成。有三种情况,分别是“1”代表2 bank,“2”代表4 bank,“4”代表8 bank。第7部分代表接口类型,由一个数字组成。分为三种情况,分别是“1”代表SSTL_3,“2”代表SSTL_2;“3”代表SSTL_18。第8部分代表该颗粒的版本,由一个字母组成,这部分的字母在26个字母中的位置越靠后,说明该内存颗粒的版本越新,目前为止HY内存共有5个版本,表现在编号上,空白表示第一版,“A”表示第二版,依次类推,到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好。
第9部分代表的是功耗,如果该部分是空白,则说明该颗粒的功耗为普通,如果该部分出现了“L”字母,则代表该内存颗粒为低功耗。
第10部分代表内存的封装类型,由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP封装,“Q”代表LOFP封装,“F”代表FBGA封装,“FC”代表FBGA(UTC:8 x 13mm)封装。第11部分代表堆叠封装,由一个或两个字母组成。空白代表普通;S代表Hynix;K代表M&T;J代表其它;M代表MCP(Hynix);MU代表MCP(UTC)。第12部分代表封装材料,由一个字母组成。空白表示普通,“P”代表铅,“H”代表卤素,“L”代表铅和卤素。
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