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igbt工作原理 演示

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问题更新日期:2024-10-15 09:32:30

问题描述

igbt工作原理 演示急求答案,帮忙回答下
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IGBT的工作原理:IGBT由三个极控制,其分别是C(集电极)、G(栅极)、E(发射极)。IGBT是—种场控器件,其相当于一个PNP型晶体管,其开关由G(栅极)和E(发射极)之间的电压UGE决定。

在igbt得到大力发展之前,功率场效应管mosfet被用于需要快速开关的中低压场合,晶闸管、gto被用于中高压领域。mosfet虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是,在200v或更高电压的场合,mosfet的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加,使得其功耗大幅增加,存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性,虽然可以得到高耐压、大容量的元件,但是它要求的驱动电流大,控制电路非常复杂,而且交换速度不够快。