光刻胶湿法去胶反应过程

问题描述

精选答案

华林科纳湿法清洗中通过清洗液将半导体衬底表面的光刻胶去除，在湿法清洗中，通过将表面具有光刻胶的半导体衬底置于具有清洗液的容器中，或通过向光刻胶表面喷洒清洗液的方法去除光刻胶层。

在现有的一种湿法清洗去除光刻胶的方法中，将双氧水注入到硫酸溶液中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液；将该清洗液喷 洒到半导体衬底的光刻胶表面，所述清洗液与光刻胶反应将光刻胶去除；接着，用去离子水冲洗去除光刻胶后的半导体衬底的表面。上述方法可在具有批处理能力的设备中进行：将双氧水连续不断地与硫酸溶液混合，并将混合后的清洗液喷洒到依次进入所述设备的半导体衬底的光刻胶表面，将光刻胶去除