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pn结反向击穿时电容怎么变化

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问题更新日期:2024-10-15 13:29:30

问题描述

pn结反向击穿时电容怎么变化希望能解答下
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反向电压增加,势垒电容减小。

PN结加反偏时,PN结交界处存在势垒区。P型层与N型层之间出现耗尽区(空间电荷区),类似电容器的绝缘层,而P、N区充当电容的两个极板,该电容的数值可以根据平板电容相似的理论加以计算。

当所加的反向电压增加时,会使耗尽区变宽,相当于极板距离加大,根据平板电容的理论,结电容量就会减小;反之反向电压减小时,使耗尽区变窄,结电容增加。

其他回答

损坏性击穿时,电阻从0欧到几千欧之间,随机的。稳压管击穿时,谈电阻没有意义,它是非线性的,低于击穿值电阻接近无穷大,高于击穿值电阻接近于零。