c-v法测外延电阻率原理

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用电容一电压(C-V)法测量外延层掺杂浓度和电阻率，就是在测试时，汞探针与硅片表面相接触，形成一个金属一半导体结构的肖特基结。汞探针和N型硅外延层相接触时，在N型硅外延层一侧形成势垒。在汞金

属和硅外延层之间加一直流反向偏压时，肖特基势垒宽度向外延层中扩展。如果在直流偏压上叠加一个高频小信号电压，其势垒电容随外加电压的变化而变化，可起到电容的作用。通过电容一电压变化关系，便可找到金属一半导体肖特基势垒在硅外延层一侧的掺杂浓度分布。有时为了防止漏电导致测试不出结果，会在金属一半导体接触面生长一层薄氧化层。氧化层厚度必须很薄，以至于MOS电容Cox远大于肖特基势垒电容CD时，以上模型中的MOS电容可以忽略不计。