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mos管导通电阻与温度关系

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问题更新日期:2024-10-15 22:30:13

问题描述

mos管导通电阻与温度关系希望能解答下
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如果驱动电压小于10v,那就太有关系了,mos管都没有完全打开,内阻会比较大,温升肯定大,如果你指的是>10v的驱动电压,看你应用在什么场合了,低频场合驱动电压高低影响不大,但是如果应用在射频等高频下,那就有影响了。

VGS电压一定时,温度越高,所流过的电流越大,温度和电流形成正反馈,即MOS管的RDS(ON)为负温度系数,可以将这个区域称为RDS(ON)的负温度系数区域。

半导体内部与外部的温度差由热阻决定。结与外壳间的热阻为R,外壳与散热片之间的热阻为R,结(芯片)与周围环境的热阻为R衄^。

其他回答

导通电阻与温度成非线性反比关系,温度越高,电阻越小。