mosfet处于放大区域的条件

问题描述

精选答案

UCE大于1V是考虑到三极管发射结正偏的时候UBE最大不得超过这个数值。当UCE大于1V时，可以可靠保证集电结反偏。 IB小于IBS是保证管子不进入饱和状态。UBE大，IB大，IC也随之大，管子可能会因为集电极压降太多进入饱和状态，限制IB<IBS即可以限制管子进入饱和。 IBS是饱和时的基地电流。