igbt开通和关断过程
问题描述
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IGBT的开关过程主要由栅极电压VGE控制。由于栅极和发射极之间存在寄生电容,因此IGBT的导通和截止等效于CGE的充电和放电。
当栅极和发射极之间加上一个正向驱动电压后,开始对CGE充电,VGE开始上升,上升过程的时间常数由CGE和栅极驱动网路的电阻所决定。当VGE达到开启电压VGE(th)后,集电极电流IC开始上升。从VGE上升至VGE(th)开始,到IC上升至负载电流IL的10%为止,这段时间被定义为开通延迟时间td(on)。此后,集电极电流IC持续上升,到IC上升至负载电流IL的90%的时候,这段时间称为上升时间tr。开通延迟时间td(on)与上升时间tr之和被为开通时间ton。
当栅极和发射极之间的电压VGE变为零时,IGBT开始关断。从集电极电流IC下降到负载电流IL的10%时开始,到VCE下降到最大值的10%为止的时间称为关断延迟时间td(off)。集电极电流IC从最大值的90%开始下降,到集电极电流IC下降到负载电流IL的10%时,这段时间称为下降时间tf。关断延迟时间td(off)与下降时间tf之和为关断时间toff。
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igbt开通和关断:在igbt的门极加载一个正向电压igbt导通,在它的门极加载一个负向电压Igbt关断。
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