外延生长的基本条件

问题描述

精选答案

需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。

外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。外延生长技术发展于50年代末60年代初。

当时，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。

其他回答

自考继教助手

能精确控制外延层的厚度和保证外延层的单晶晶体质量。而这与外延生长速度的快慢及其精确控制直接有关。若能精确控制外延生长速度,则就能实现对外延层厚度的精确控制。外延晶体质量显然是与生长速度有关的。因为,若生长速度太快,以致Si原子来不及在Si片表面上整齐排列,则必将造成缺陷以至发展成为多晶层