hilt原理

问题描述

精选答案

HEMT原理是异质结两侧半导体材料禁带宽度不同，费米能级不同，导致电子从宽禁带向窄禁带转移，直到费米能级相同为止。

从而在宽禁带一侧富余空穴，窄禁带一侧富余电子，富余的空穴和电子在异质结界面产生的内建电场引起能带弯曲，产生三角形势阱，势阱内聚集二维电子气。

两种材料禁带宽度差别越大，内建电场越强，产生的三角形势阱越深，二维电子气浓度就越高。