mos管驱动芯片负压怎么产生的

问题描述

精选答案

MOS管驱动芯片负压是通过MOS管驱动芯片内部电路产生的。MOS管驱动芯片内部电路由多个场效应晶体管组成，当工作电压施加到MOS管驱动芯片时，场效应晶体管将电流增强并反向驱动MOS管的栅极，从而使MOS管导通。在MOS管切换的过程中，由于电感、电容等元件的存在，将产生浪涌电压，此时场效应晶体管工作在反向区，导致场效应晶体管的漏极与源极之间的电子受到强烈的反向电压作用，并产生“反向漏”电流，最终产生负压。MOS管驱动芯片负压产生的原因可能非常复杂，在实际应用中需要根据电路的具体情况进行综合分析和设计。

其他回答

张药师说药

LT1946是boost升压DCDC，SW上是方波（幅值略8V）。

C32相比C31来说很小，因此C31充放电很快。因此，在本电路的分析中，可以认为C32两端电压相等，快速跟随SW的波形。上电后，SW高电平时，D2的1-2导通、3-1截止。因此该部分电路不工作。SW负电平时，D2的3-1导通，由于C31上电压不能突变，于是形成了C31通过D2的3-1和C32的充电回路，直到C31负端为-8V。之后就这样反复充电，获得负压。该部分负压电路只是通过电容和二极管充电产生，因此没有电流驱动能力！