n-mos管的工作原理
问题更新日期:2024-10-18 06:55:07
问题描述
n-mos管的工作原理求高手给解答
- 精选答案
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N型MOS管的工作原理
(1)vGS对iD及沟道的控制造用
① vGS=0 的状况,加强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时,即便加上漏——源电压vDS,而且不管vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。
② vGS>0 的状况
若vGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体外表的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排挤空穴而吸收电子。排挤空穴:使栅极左近的P型衬底中的空穴被排挤,剩下不能挪动的受主离子(负离子),构成耗尽层。吸收电子:将 P型衬底中的电子(少子)被吸收到衬底外表。
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