d4126场效应管参数

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d4126是N沟道MOS大功率场效应晶体三极管，广泛应用于电源、卫星电视、汽车音响、车载电台、汽车防盗报警系统、监控系统及各种遥控器、电信和电子行业等民用、工业、军工电子产品领域。

d4126场效应管参数：

漏源电压（Vdss）：100V

漏极电流(Id)：70A

漏源导通电阻(RDS On)：10mΩ

栅源电压(Vgs)：±25V

栅极电荷(Qg)：42

反向恢复时间：2.4mS

耗散功率（Pd）：113W

工作温度范围（Tj）：-55℃～150℃

封装：TO-252

其他回答

盘州建筑

d4126场效应管 采用的是联发科天玑700处理器，这是一款入门级别的5G双模处理器，所以它的性能一般般，但是它的功耗相当不错。另外这款还内置了6000毫安电池，续航时间相当给力，它还支持33w的快速充电，后置4800万的高清双摄。