3nm芯片，参数

问题描述

精选答案

三星3nm芯片，采用的是GAA工艺，这是一颗3nm的 SRAM芯片。容量达到了256GB，但面积只有56平方毫米。更重要的是写入电压只要0.23V，这对于芯片来讲，漏电现象将大大的改善，毕竟漏电已经是芯片功耗的最大杀手了，目前漏电所产生的功耗占了芯片功耗的50%以上，台积电曾经更是因为漏电都有一个“台漏电”的称号。

3GAE可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。而台积电公布自己的3nm的FinEFT工艺，是管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。很明显三星的GAA晶体管技术更胜一筹。

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期货那些事

3nm芯片晶体管密度为250MTr/mm2。因为目前三星和台积电还未有3nm芯片正式流片，所以无法估计参数，只能从台积电的消息中了解一下3nm参数，据台积电消息，3nm晶体管密度为250MTr/mm2，是第一代7nm工艺96.5MTr/mm2的3.6倍。