三维异构工艺流程
问题描述
- 精选答案
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三维异构堆叠方法,具体包括如下步骤:
101)垫层制作步骤:载板上表面沉积氧化硅或者氮化硅,或者直接热氧化形成垫层,垫层厚度范围在10nm到100um之间;或者通过物理溅射,磁控溅射、蒸镀工艺或者电镀金属在载板上表面制作垫层;
通过光刻和刻蚀工艺去除部分垫层,剩余垫层形成凸点或焊圈;刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀;
102)再次处理步骤:在垫层上制作种子层,种子层上涂布光刻胶,通过显影工艺去除部分种子层露出待电镀区域,电镀金属和顶层焊锡;且电镀的金属上表面形成与凸点或焊圈相一致的结构;
103)去除步骤:去除光刻胶,湿法去除种子层;涂助焊剂,回流后清洗助焊剂得到表面带有焊锡层的凸点或焊圈;
104)防溢步骤:将芯片设置在步骤103)的焊锡上形成新芯片模组,将新芯片模组与传统芯片模组进行焊接,使两者凸点或焊圈紧密结合形成凹槽区完成防溢锡结构三维堆叠。
进一步的,垫层本身结构为一层或多层结构,其材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合;种子层、电镀的金属、焊锡本身结构都为一层或多层结构,厚度范围都在1nm到100um,材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。
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