为什么加强型NMOS的沟道里靠近源极一端电压高，靠近漏极一端电压低

问题描述

精选答案

MOS管是绝缘栅型的场效应管,跟结型场效应管不一样的是,可以分耗尽型跟增强型的两种,前者在二氧化硅绝缘层中掺入大量正离子,所以在不加外加电压之下,栅极正下方也可以形成导电沟道,而增强型的导电沟道要在一定的栅-源电压之下,栅极正下方才能形成导电沟道.耗尽型的NMOS管Ugs可正可负也可以等于0,饱和区内,漏极电流受Ugs控制.当Ugs为负时,达到一定数值,才能使导电沟道夹断,这个数值称Ugs(off),夹断电压是这样定义的,跟你说的正向漏极电压无关吧