n沟道增强型低电平导通还是截止

问题描述

精选答案

增强型场效应管是高电平导通（高电平时形成沟道），耗尽型是低电平导通

当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在DS间也不可能形成电流。当 0<V(GS)<V(T) (开启电压)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。

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n沟道mosfet不管是增强型还是耗尽型都是高电平导通，Vgs大于门限电压管子才会导通。