P沟道场效应管用法

问题描述

精选答案

P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，叫源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有满足的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅外表呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

改变栅压能够改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假如N型硅衬底外表不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

P沟道场效应的管用法如下：

1.电源通断控制

P-MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。

2.高电平控制电源导通，用一个NPN三极管

3.低电平控制电源导通，用一组PNP+NPN三极管

其他回答

装卫士监理

P沟道场效应管需要在栅源极加反向偏置电压，漏源极加正向偏置电压。