半导体阻挡层名词解释
问题描述
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就拿金属与N半导体接触来说吧,如果他们接触形成阻挡层的话,半导体一边的能带是向上弯曲的,这时候就形成了势垒,电子要穿过这个势垒,就必须具有一定的能量,如果我们在金属加上正电压,就会消弱势垒区中的电场,势垒高度降低,部分电子可以越过这个势垒,就形成了正向电流,而如果我们加反向电压,外加电场与势垒区电场方向相同,反而增加了势垒高度,这时候电子更难在越过这个势垒,反向的电流就很小。就像上述这种具有整流效应作用结就是阻挡层。
对于反阻挡层就跟阻挡层作用相反,在半导体表面具有很高的电子浓度,没有整流效应,一般把这种形成反阻挡层的接触,称为欧姆接触,他形成的电阻很小,比他的材料电阻还要小,电流电压曲线呈直线对称分布。
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金属和n型半导体接触时,若金属的功函数大于半导体功函数,则在导体表面形成一个正的空间电荷区其中电场方向由体内指向表面,使半导体表面电子的能量高于体内,能带向上弯曲,即形成表面势垒。
在势垒区中,空间电荷主要由电离施主形成,电子浓度要比体内小的多,因此它是一个高阻的区域,常称为阻挡层。
- 其他回答
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我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。
在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差,这个交界处就是阻挡层。
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