砷化镓和硅的区别

问题描述

精选答案

（1）硅、锗属于间接禁带半导体，导带底和价带顶不在K空间同一点，形成半满能带不仅吸收能量（辐射光子，hv=Ec-Ev），还要改变动量（辐射声子，动量ΔP=约化普朗克常数*k），做电子器件。

（2）GaAs为直接禁带半导体，导带能量最小值和价带能量最大值处于k=0处，形成半满能带只需吸收能量（辐射光子），做光学器件。

补充:如果半导体内掺入杂质，引入复合中心能级，则辐射光子时会出现三条谱线hv1=Ec-Et，hv2=Et-Ev，hv3=Ec-Ev，发生谱线红移。