载流子的主要来源
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人们已经知道,载流子就是电荷的载体(电荷的运输者),也就是能够移动的荷电粒子。在半导体的导电过程中运载电流的粒子,同时,可以是带负电的电子,也可以是带正电的空穴,带电荷的电子或空穴就叫载流子。
由于载流子的移动,输运电荷,就产生了电流。具有众多个载流子的物质就是导体,相反,载流子少,甚至没有载流子的物质就是绝缘体,而可以改变载流子数量的物质就是半导体。 每立方厘米中电子或空穴的数目就叫载流子浓度。
载流子的浓度是决定半导体电导率大小的主要因素,其单位是原子/cm3。在本征半导体中,电子和空穴的浓度是相等的。而在含有杂质和晶格缺陷的半导体中,电子和空穴的浓度不相等。把数目较多的载流子叫多数载流子,把数目较少的载流子叫少数载流子,例如,N型半导体中,电子是多数载流子,空穴就是少数载流子,而在P型半导体中正好相反,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
温度对半导体的载流子浓度有很大影响,无论是本征型还是N型或P型半导体,里面的载流子主要是靠热运动激发而产生,所以温度变化会使载流子浓度变化。其实,温度对载流子浓度不仅有影响,而且影响是非常强烈的。
温度变化几摄氏度,载流子浓度会变化几十倍,甚至上百倍。温度不变时,禁带宽度也会引起载流子浓度的巨大变化。 对于含杂质的半导体,载流子的来源,一方面由杂质产生,另一方面是由本身元素的电子从满带跳到导带产生的。
当温度不高时,载流子主要由杂质产生,第二个来源是次要的,当温度增加很高时,杂质原子可以释放的电子或空穴全部释放出来,第一个来源停止产生载流子,第二个来源产生的载流子可以赶上并大大超过第一来源,此时半导体将失去电子或空穴导电性,开始呈本征导电性(即同时由电子和空穴产生导电)。
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