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二氧化钒相变原理

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问题更新日期:2024-10-22 23:34:34

问题描述

二氧化钒相变原理,在线求解答
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1 氧化钒相变原理 1958年,科学家F.J.Morin在贝尔实验室发现钒和钦的氧化物具有半导体一金属相变特性。实验表明:促使氧化钒薄膜发生相变的条件是温度,实验得到的二氧化钒薄膜的相变温度点为68℃(T=68℃)。

常温下,VO2薄膜呈现半导体状态,具有四方晶格结构,对光波有较高的透射能力。

当薄膜温度在外界条件促使(例如吸收光能量)下升高到一定温度点t时,薄膜原始状态迅速发生变化,此时VO2薄膜显示金属性质,是单斜晶结构,对光波有较高的反射。