光刻过程中为什么要进行后烘

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精选答案

光刻过程中后烘是以一定温度烘烤曝光后的硅片，目的是降低驻波效应的影响以及使化学反应更充分。

后烘增加胶的连着力以及除去多余的残留溶剂 后烘使得不含光敏反应化合物的光刻胶形成交联聚合物 稳定光刻胶。

曝光不论是电子束曝光还是深紫外线曝光 都是利用光源与光刻胶进行反应。