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cs3n150场效应管参数

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问题更新日期:2024-10-24 10:04:45

问题描述

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场效应MOS管STP3N150参数:

PD最大耗散功率:140W

ID最大漏源电流:2.5A

V(BR)DSS漏源击穿电压:1500V

RDS(ON)Ω内阻:9Ω

VRDS(ON)ld通态电流:

1. 3A

VRDS(ON)栅极电压:10V

VGS(th)V开启电压:3~5V

VGS(th)ld(μA)开启电流:250μA