简述隧道击穿的机理

问题描述

精选答案

隧道击穿又称齐纳击穿，其机理是材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向增加时，空间电荷中的电场随着增强。

这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。

在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由点子-空穴对。

其他回答

考研小博士

隧道击穿是半导体物理的概念。

隧道击穿(齐纳击穿)：隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引起的一种击穿现象。因为最初是由齐纳提出来解释电介质击穿现象的，故叫齐纳击穿。