nmos的击穿电压

问题描述

精选答案

然而在不需要很高的电压的情况下，使用大面的LDMOS对项目的成本增加很多。

例如在非易失存储器中的MOS管承受的电压1V左右，而一般0.13um工艺下NMOS管的击穿电压大约为10V，因此电路设计需要击穿电压能够达到12V以上的MOS管，小幅度提高MOS管的击穿电压，增强电路的可靠性。