光刻工艺中去膜工艺的膜是

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光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。光刻胶涂复后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。

光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。