soi材料的生长方法有哪些

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精选答案

SOI是Silicon On Insulator的缩写，即绝缘体上硅，是在薄二氧化硅绝缘层上生长出一层硅单晶薄膜，其结构从上往下依次是表面硅单晶薄膜-二氧化硅绝缘层-硅衬底。得益于绝缘层对单晶硅薄膜层的介电隔离作用，相比体硅器件，SOI具有低功耗、低开启电压、高速和耐高温等性能，而且没有体硅器件在低压工作时的电流驱动能力降低和亚阀值波动问题，因此在低压、低功耗电路应用方面表现出极佳的性能，在SOI微处理器、DRAM、SRAM和射频等器件中拥有广泛应用。

产业界基于硅衬底提出了区域熔融再结晶技术（ZMR）、多孔氧化硅全隔离技术（FIPOS）、利用多孔硅的外延层转移技术（Epitaxial Layer Transfer）及沪硅产业成熟运用的氢注入剥离键合技术（Smart-cut）、注氧隔离技术（SIMOX）及Simbond等技术。