三极管饱和状态电路分析

问题描述

精选答案

1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。

2.集电极电阻 越大越容易饱和;

3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制