irf530参数及代换

问题描述

精选答案

IRF530是N沟道增强型场效应管，其参数为：

封装形式：TO-220-3；

功耗：60W（Tc）；

上升时间：25.0 ns；

额定电压：100 V；

漏源极电阻：180 mΩ；

极性：N-Channel；

漏源极电压：100 V；

额定电流：14.0 A；

漏源击穿电压：100 V；

栅源击穿电压：±20.0 V；

连续漏极电流：14.0 A；

工作温度：-55℃ ~ 175℃（TJ）

IRF530的代换可以考虑以下几款场效应管：

IRF530N：与IRF530相比，IRF530N的额定电流和击穿电压更高，为16 A和120 V，其他参数相同。

IRF531：与IRF530相比，IRF531的上升时间更短，为12.5 ns，额定电压和漏源极电阻也稍高，为110 V和150 mΩ，其他参数相同。

IRF520NPBF：与IRF530相比，IRF520NPBF的额定电压和漏源极电阻稍低，为80 V和220 mΩ，其他参数相同

其他回答

专升本小吴

型号：IRF530

类型：N沟道场效应管（绝缘栅型）

耗散功率（PD）：79 W

漏极电流（ID）：14 A

漏极和源极电压（VDSS）：100 V