为什么杂质浓度越高越容易被击穿

问题描述

精选答案

一般TTL集成电路在选择外延层电阻率上，主要考虑要满足击穿电压的要求。集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上，有时击穿电压的要求比较高些，所以电阻率要大些，不同的运算放大器或许有不同的要求！齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。

由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生