闪存颗粒多少纳米

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精选答案

进入3D时代之后，闪存从平面扩展变为垂直方向堆叠，相应的纳米工艺也发生一定回退。比如三星第一代3D闪存（32层堆叠）问世时从当时平面闪存的19nm直接退回到几年前的40nm工艺，单容量相比19nm平面闪存却有一定提升。

一方面，采取老的纳米制程有助于闪存耐久度提升，另一方面纳米工艺制程不再直接影响闪存容量和性能，所以现在闪存颗粒只讲堆叠层数和存储密度，不再将纳米制程放在明面上。不过相信很多朋友还是非常关心具体数值的。存储即可就来透露一下，除了三星之外，美光的第一代3D闪存（32层堆叠）使用的也是40nm工艺，第二代64层堆叠产品才降至20nm。

东芝最早提出了3D闪存结构，在应用推广上晚于三星一些，主要是为了等待技术的成熟。第一代48层堆叠3D闪存（东芝称BiCS2）就使用了19.5nm工艺，当代64层堆叠3D闪存（东芝称BiCS3）则使用当前领先的19nm工艺制造。

BiCS2主要见于手机等移动存储芯片，譬如iPhone7 256G中使用的就是编号为THGBX6T1T82LFXF的东芝闪存芯片。